Nichtlinearer Bipolartransistor
Dieses Modell zeigt eine Implementierung eines nichtlinearen bipolaren Transistors auf der Grundlage des Ebers-Moll-Ersatzschaltbildes. R1 und R2 legen den nominalen Arbeitspunkt fest, und die Kleinsignalverstärkung wird ungefähr durch das Verhältnis R3/R4 bestimmt. Die 1uF-Entkopplungskondensatoren wurden so gewählt, dass sie bei 1 KHz eine vernachlässigbare Impedanz aufweisen. Das Modell ist für die Linearisierung konfiguriert, so dass ein Frequenzgang erstellt werden kann.
Das Modell zeigt, wie komplexere Elemente (in diesem Fall ein Transistor) aus den grundlegenden elektrischen Elementen in der „Foundation“-Bibliothek aufgebaut werden können. Beachten Sie, dass im Block „Solver Configuration“ die Option „Start simulation from steady state“ eingestellt wurde.
Mehr Hintergrundinformationen zur Verwendung von stückweise linearen Dioden bei der Transistormodellierung finden Sie unter: Cel, J. „Ebers-Moll model of bipolar transistor with idealized diodes“, International Journal of Electronics, Band 89, Nr. 1, Januar 2002, S. 7-18.
Modell
Subsystem „Nonlinear NPN Transistor“
Simulationsergebnisse der Simscape-Protokollierung
Frequenzgang
